SIHG70N60AEF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 60 А, 0.0355 Ом, TO-247AC, Through Hole

Фото 2/2 SIHG70N60AEF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 60 А, 0.0355 Ом, TO-247AC, Through Hole
Фото 1/2 SIHG70N60AEF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 60 А, 0.0355 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
973 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 330 руб.
от 5 шт.1 210 руб.
от 10 шт.1 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 330 руб.
Номенклатурный номер: 8443181100
Артикул: SIHG70N60AEF-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 600V Vds 20V Vgs TO-247AC

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора to-247ac
Рассеиваемая Мощность 417Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0355Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции EF Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 60 A
Pd - рассеивание мощности 417 W
Qg - заряд затвора 410 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 35.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 104 ns
Время спада 113 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 23 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Серия EF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 219 ns
Типичное время задержки при включении 45 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number SIHG70 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 410nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5348pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 417W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 35A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EF ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах