SIHG70N60AEF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 60 А, 0.0355 Ом, TO-247AC, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 700 руб.
от 5 шт. —
2 480 руб.
от 10 шт. —
2 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Industrial Power Solutions Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 500 |
| Fall Time: | 113 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 23 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 410 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35.5 mOhms |
| Rise Time: | 104 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 219 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 457 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 293 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 134 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
