SIHP180N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 19 А, 0.155 Ом, TO-220AB, Through Hole

SIHP180N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 19 А, 0.155 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.410 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 3 060 руб.
Номенклатурный номер: 8001569995
Артикул: SIHP180N60E-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.155Ом
Power Dissipation 156Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 19А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 156Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.155Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SIHP180N60E-GE3
pdf, 121 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов