SIHP180N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 19 А, 0.155 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
410 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 3 060 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.155Ом |
Power Dissipation | 156Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | E |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 19А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.155Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SIHP180N60E-GE3
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов