SIJH800E-T1-GE3, N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3388
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
1 040 руб.
от 25 шт. —
952 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Разные Транзисторы
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 299 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0018 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerPAK 8x8L |
Pin Count | 4 |
Series | N-Channel 80-V |
Вес, г | 4.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 237 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов