SIRA14DP-T1-GE3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 470 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 58 A |
| Pd - рассеивание мощности | 31.2 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 6.15 mm |
| Другие названия товара № | SIRA14DP-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 31.2 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Width | 5.26mm |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
