SIS108DN-T1-GE3, MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 155 руб.

от 500 шт. — 118.44 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.

Номенклатурный номер: 8005290191

Артикул: SIS108DN-T1-GE3

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.028Ом
Power Dissipation	24Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	16А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	24Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.028Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1

pdf, 177 КБ

Мы рекомендуем