SISS26LDN-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 81.2 А, 0.0034 Ом, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

330 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 221 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 640 руб.

Номенклатурный номер: 8001879246

Артикул: SISS26LDN-T1-GE3

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0034Ом
Power Dissipation	57Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Gen IV
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	81.2А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	57Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0034Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	9

pdf, 201 КБ

Мы рекомендуем