SIZ980DT-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 16 шт. —
98 руб.
от 31 шт. —
94 руб.
от 62 шт. —
90 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A/60А
Технические параметры
| Корпус | PowerPAKВR ChipFet Dual | |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A, 60 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W, 66 W | |
| Qg - заряд затвора | 18 nC, 77 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.7 mOhms, 1.1 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V, 1.1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 65 ns, 75 ns | |
| Время спада | 10 ns, 10 ns | |
| Высота | 0.75 mm | |
| Длина | 6 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 2 Channel | |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
| Конфигурация | Dual | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S, 155 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | SIZ | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 2 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns, 30 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns, 35 ns | |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 | |
| Ширина | 5 mm | |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet SIZ980DT-T1-GE3
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
