SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]

Фото 2/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]Фото 3/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]Фото 4/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]Фото 5/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]Фото 6/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
Фото 1/6 SKM100GB12T4, IGBT-модуль, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
170 шт. со склада г.Москва
4 910 руб.
от 4 шт.4 660 руб.
от 8 шт.4 519 руб.
от 24 шт.4 413 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000441611
Артикул: SKM100GB12T4
Производитель: Semikron Elektronik

Описание

IGBT силовой модуль - [SEMITRANS 2]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 100 А; Технология: IGBT 4 Fast (Trench); Ключей: 2

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 94мм
Transistor Configuration Серия
Производитель Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 160 A
Тип корпуса SEMITRANS2
Тип монтажа Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 34мм
Высота 30.1мм
Число контактов 7
Размеры 94 x 34 x 30.1мм
Конфигурация Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 160

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB12T4

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах