SQD50N05-11L_GE3, MOSFET, N-CH, 50V, 50A, TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
370 руб.
от 100 шт. —
300 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 580 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | SQ Rugged |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34.6 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2106pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
