SQJB60EP-T1_GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 30 А, 0.01 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

340 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 290 руб.

от 100 шт. — 228 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 720 руб.

Номенклатурный номер: 8175740945

Артикул: SQJB60EP-T1_GE3

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel	0.01Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.01Ом
Power Dissipation N Channel	48Вт
Power Dissipation P Channel	48Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET Series
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	60В
Непрерывный Ток Стока	30А
Непрерывный Ток Стока, N Канал	30А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	30А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	48Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.01Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.3

Мы рекомендуем