SQM50P03-07_GE3, MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

Фото 1/2 SQM50P03-07_GE3, MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
760 руб.
от 10 шт.600 руб.
от 100 шт.449 руб.
от 250 шт.399.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 руб.
Номенклатурный номер: 8008938777
Артикул: SQM50P03-07_GE3

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 50 A
Maximum Drain Source Resistance 11 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 150 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.5V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series SQ Rugged
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 103.5 nC @ 10 V
Width 9.652mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 127 КБ
sqm50p03
pdf, 160 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов