SQM50P03-07_GE3, MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 руб.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
449 руб.
от 250 шт. —
399.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 руб.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Series | SQ Rugged |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 103.5 nC @ 10 V |
Width | 9.652mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов