SQP10250E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 53 А, 0.0244 Ом, TO-220AB, Through Hole

SQP10250E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 53 А, 0.0244 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.670 руб.
от 100 шт.558 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 160 руб.
Номенклатурный номер: 8001619050
Артикул: SQP10250E_GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0244Ом
Power Dissipation 250Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 250В
Непрерывный Ток Стока 53А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0244Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Вес, г 3.2

Техническая документация

Datasheet SQP10250E_GE3
pdf, 173 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов