SQP10250E_GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 53 А, 0.0244 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
558 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 160 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0244Ом |
Power Dissipation | 250Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 250В |
Непрерывный Ток Стока | 53А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0244Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Datasheet SQP10250E_GE3
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов