SS8050DBU

Фото 1/2 SS8050DBU
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.78 руб.
от 10 шт.60 руб.
от 100 шт.43.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8002990263

Описание

Электроэлемент
SS8050 Series NPN 1 W 25 V 1.5 A Through Hole Epitaxial Transistor - TO-92

Технические параметры

Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 1.5(A)
Collector-Base Voltage 40(V)
Configuration Single
DC Current Gain 160
Emitter-Base Voltage 6(V)
Frequency 100(MHz)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Package Type TO-92
Packaging Bag
Pin Count 3
Power Dissipation 1(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity NPN
Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 4.7 mm
Длина 4.7 mm
Другие названия товара № SS8050DBU_NL
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 85
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 10000
Серия SS8050
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-92-3
Ширина 3.93 mm
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 239 КБ
Datasheet
pdf, 240 КБ
Datasheet SS8050DBU
pdf, 237 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов