SSM3K15AFU,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5610 шт., срок 8-10 недель
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 120 шт.
на сумму 2 760 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Toshiba offers an extensive portfolio of low-VDSS and mid/high-VDSS MOSFETs in various circuit configurations and packages, featuring high speed, high performance, low loss, low on-resistance, small packaging, etc.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SC-70 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.25mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K15AFU,LF
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
