Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STB18NF25, Силовой МОП-транзистор, N Channel ...

STB18NF25, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 17 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

980 шт., срок 8-10 недель

460 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 390 руб.

от 100 шт. — 320 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 760 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003294590

Артикул: STB18NF25

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 250В 17A 110Вт 0,165Ом DІPak

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.14Ом
Power Dissipation	110Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	STripFET II
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	250В
Непрерывный Ток Стока	17А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.14Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Automotive	Yes
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	17
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	165@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	250
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	110000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	Unknown
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-263
Supplier Package	D2PAK
Supplier Temperature Grade	Automotive
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	8.8
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	29.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	29.5@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1000@25V
Typical Rise Time (ns)	17.2
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	21
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8.8
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	8.8 ns
Forward Transconductance - Min:	14 S
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-263-3
Pd - Power Dissipation:	110 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	29.3 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	140 mOhms
Rise Time:	17.2 ns
Series:	STB18NF25
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	STripFET II Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8.8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	1.38