STB26N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

STB26N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 20 А, 0.14 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
39 шт., срок 8-10 недель
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.690 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 240 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002693200
Артикул: STB26N60M2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.14Ом
Power Dissipation 169Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh M2
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 20А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 169Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.14Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet
pdf, 887 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.