STB60NF06, Транзистор N-MOSFET 60В 60А [D2PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
216 шт. со склада г.Москва
210 руб.
от 100 шт. —
182 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом/30А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
60NF06
pdf, 100 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.