STB80NF55-08AG, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 80 А, 0.0065 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

STB80NF55-08AG, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 80 А, 0.0065 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 шт., срок 8-10 недель
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.600 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 840 руб.
Номенклатурный номер: 8001696060
Артикул: STB80NF55-08AG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0065Ом
Power Dissipation 300Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции STripFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 80А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 300Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0065Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet STP80NF55-08AG
pdf, 1004 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.