STD9NM60N, Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5А 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
231 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 23 шт. —
94 руб.
от 46 шт. —
87 руб.
от 92 шт. —
83 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5А 70Вт
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.5 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 745@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 2 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | MDmesh II | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-252 | |
| Supplier Package | DPAK | |
| Supplier Temperature Grade | Industrial | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 26.7 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17.4 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 17.4@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 452@50V | |
| Typical Rise Time (ns) | 23 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 52.5 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 28 | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 17.4 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 745 mOhms | |
| Series: | STD9NM60N | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
