STF11N60DM2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
888 шт., срок 8-10 недель
500 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
346 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 3 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 6.3 ns |
Время спада | 9.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STF11N60DM2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 31 ns |
Типичное время задержки при включении | 11.7 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet STF11N60DM2
pdf, 439 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.