STF13NM60ND, Транзистор: N-MOSFET

Фото 1/2 STF13NM60ND, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
45 шт., срок 7 недель
810 руб.
от 10 шт.640 руб.
от 30 шт.554 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 810 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014889745
Артикул: STF13NM60ND
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 11 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 24.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 10 ns
Время спада 15.4 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF13NM60ND
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 9.6 ns
Типичное время задержки при включении 46.5 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.32Ом
Power Dissipation 25Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции FDmesh II
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 11А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.32Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Вес, г 1.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1546 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.