STGB18N40LZT4, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.35 В, 150 Вт, 390 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

PartNumber: STGB18N40LZT4
Ном. номер: 8030700617
Производитель: ST Microelectronics
STGB18N40LZT4, БТИЗ транзистор, 30 А, 1.35 В, 150 Вт, 390 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 1405 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
71 руб. × = 71 руб.
от 25 шт. — 70 руб.
от 100 шт. — 69 руб.

Описание

The STGB18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.

• ESD gate-emitter protection
• Gate-collector high voltage clamping
• Logic level gate drive
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability
• Gate and gate-emitter resistor
• 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
390В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
150Вт
DC Ток Коллектора
30А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.35В

Дополнительная информация

Datasheet STGB18N40LZT4