STGB20H65DFB2, IGBT, 650V, 40A, TO-263/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
49 шт., срок 8-10 недель
570 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
480 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 850 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 40А |
Power Dissipation | 147Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HB2 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet STGB20H65DFB2
pdf, 473 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.