STGB20H65DFB2, IGBT, 650V, 40A, TO-263/D2PAK

STGB20H65DFB2, IGBT, 650V, 40A, TO-263/D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
49 шт., срок 8-10 недель
570 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.480 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 850 руб.
Номенклатурный номер: 8009363491
Артикул: STGB20H65DFB2
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 40А
Power Dissipation 147Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции HB2
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.38

Техническая документация

Datasheet STGB20H65DFB2
pdf, 473 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.