STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт. со склада г.Москва
350 руб.
от 15 шт. —
324 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT
Технические параметры
Технология/семейство | PowerMESH | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 9 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 25 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-220FP | |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 579 КБ
Datasheet
pdf, 1466 КБ
Datasheet STGF10NC60KD
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.