STGWA100H65DFB2, БТИЗ транзистор, 145 А, 1.55 В, 441 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
556 шт., срок 7-9 недель
1 430 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 340 руб.
от 10 шт. —
1 210 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 860 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 145А |
| Power Dissipation | 441Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA100H65DFB2
pdf, 330 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IKW50N60H3FKSA1 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
