STGWT40HP65FB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1006 шт., срок 8-10 недель
800 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
563 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 200 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Сквозное отверстие TO-3P
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 283Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
| Base Product Number | STGWT40 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 210nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 283W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HB -> |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 363ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | -/142ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 300 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3P-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGWT40HP65FB |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
