STH47N60DM6-2AG, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 36 А, 0.07 Ом, H2PAK-2, Surface Mount

STH47N60DM6-2AG, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 36 А, 0.07 Ом, H2PAK-2, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 шт., срок 8-10 недель
1 840 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.1 720 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 680 руб.
Номенклатурный номер: 8001524971
Артикул: STH47N60DM6-2AG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.07Ом
Power Dissipation 250Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh DM6
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 36А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.07Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора H2PAK-2
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1.38

Техническая документация

Datasheet STH47N60DM6-2AG
pdf, 819 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.