STH47N60DM6-2AG, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 36 А, 0.07 Ом, H2PAK-2, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 шт., срок 8-10 недель
1 840 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 720 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 680 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
Power Dissipation | 250Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh DM6 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 36А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | H2PAK-2 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet STH47N60DM6-2AG
pdf, 819 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.