STP7N80K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
900 руб.
от 2 шт. —
830 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 800В, 3,8А, 110Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 20.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 8.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1159 КБ
STD7N80K5, STP7N80K5, STU7N80K5
pdf, 845 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
