STP80NF06, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 40 А, 0.0065 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1795 шт., срок 8-10 недель
900 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
770 руб.
от 100 шт. —
610 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 2 700 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 300Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Priced to Clear | Yes |
Series | STripFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 2.681 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.