STR2N2VH5, Транзистор полевой N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1510 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
от 89 шт. —
13 руб.
от 178 шт. —
12 руб.
от 356 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 31 шт.
на сумму 465 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом | |
| Power Dissipation | 350мВт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | STripFET H5 | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В | |
| Непрерывный Ток Стока | 2.3А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ | |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | STripFET V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.75mm | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOT-23-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms | |
| Series: | STR2N2VH5 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | STripFET | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV | |
| Brand | STMicroelectronics | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 3000 | |
| Id - Continuous Drain Current | 2.3 A | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | SOT-23-3 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 6 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.7 V | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
