Мой регион: Россия

STR2N2VH5, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 20 В, 0.025 Ом, 4.5 В, 700 мВ

Ном. номер: 8001636677
PartNumber: STR2N2VH5
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STR2N2VH5, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 20 В, 0.025 Ом, 4.5 В, 700 мВ
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STR2N2VH5, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 20 В, 0.025 Ом, 4.5 В, 700 мВ
160 руб.
7811 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 119 руб.
от 100 шт. — 87 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
56 руб. 4 дня, 41 шт. 1 шт. 11 шт.
от 17 шт. — 49 руб.
от 27 шт. — 36 руб.
16 руб. 8 дней, 21720 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.75мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Высота
1.3
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Размеры
3.04 x 1.75 x 1.3мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6 nC @ 4.5 V
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
550 пФ при 16 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Вес, г
0.35

Дополнительная информация

Datasheet STR2N2VH5

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.