Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STS5N15F4, Силовой МОП-транзистор, N Channel ...

STS5N15F4, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 150 В, 5 А, 0.057 Ом, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 шт., срок 7-9 недель

450 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 380 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 700 руб.

Альтернативные предложения2

Посмотреть аналоги3

Номенклатурный номер: 8000100098

Артикул: STS5N15F4

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.057Ом
Power Dissipation	2.5Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	DeepGATE STripFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	150В
Непрерывный Ток Стока	5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.057Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	11.4 ns
Id - Continuous Drain Current:	5 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOIC-8
Pd - Power Dissipation:	2.5 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	48 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	57 mOhms
Rise Time:	5.1 ns
Series:	STS5N15F4
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	STripFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	39.7 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	150 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	1.36