STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]

Артикул: STW55NM60ND
Ном. номер: 9000187582
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]
Фото 2/3 STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]Фото 3/3 STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
380 руб. × = 380 руб.
от 10 шт. — 360 руб.
от 100 шт. — 340 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STW55NM60ND is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• High dV/dt and avalanche capabilities

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
47
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3…5

Техническая документация

STW55NM60ND
pdf, 229 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW55NM60ND
N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) STW55NM60ND
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов