STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]
![STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом, 51А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/336/DOC001336323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
108 шт. со склада г.Москва
2 420 руб.
от 15 шт. —
2 310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 420 руб.
Описание
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.06 Ом/25.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 350 | |
| Крутизна характеристики, S | 45 | |
| Корпус | TO-247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 229 КБ
STW55NM60ND
pdf, 229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
