STW60N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
4 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 46A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6810pF @ 100V |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
Power Dissipation (Max) | 255W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 23A, 10V |
Series | MDmeshв(ў V |
Supplier Device Package | TO-247 |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
...60N65M5
pdf, 970 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.