STW60N65M5

STW60N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
4 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 610 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002019157
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент
MOSFET N-CH 650V 46A TO247

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 46A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6810pF @ 100V
Manufacturer STMicroelectronics
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 255W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 23A, 10V
Series MDmeshв(ў V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA
Вес, г 8.5

Техническая документация

...60N65M5
pdf, 970 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.