SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 100 шт.230 руб.
от 500 шт.208 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8024089593

Технические параметры

Brand: Vishay Semiconductors
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 100 ns
Forward Transconductance - Min: 38 S
Id - Continuous Drain Current: 37.1 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases: SUD50P10-43L-BE3
Pd - Power Dissipation: 136 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 106 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 43 mOhms
Rise Time: 20 ns, 160 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 100 ns, 110 ns
Typical Turn-On Delay Time: 15 ns, 42 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.517

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов