SUM60020E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 150 А, 0.00175 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
574 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 240 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
TrenchFET® Gen IV MOSFETsVishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.00175Ом |
Power Dissipation | 375Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
Непрерывный Ток Стока | 150А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00175Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-4 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 375 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 151.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.47 mOhms |
Rise Time: | 13 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 375 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 151.2 nC @ 10 V |
Width | 9.65mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ
Datasheet SUM60020E-GE3
pdf, 145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов