TIP35CG, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 125W NPN

TIP35CG, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 125W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
650 руб.
от 10 шт.500 руб.
от 120 шт.384 руб.
от 270 шт.381 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 руб.
Номенклатурный номер: 8006237070
Артикул: TIP35CG

Описание

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 100 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 125 W
Minimum DC Current Gain 15
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-93
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet TIP35CG
pdf, 131 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов