TIP35CG, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 125W NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 10 шт. —
500 руб.
от 120 шт. —
384 руб.
от 270 шт. —
381 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Описание
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplifier and switching applications.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum DC Current Gain | 15 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-93 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet TIP35CG
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов