TK10V60W,LVQ(S, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9.7 А, 0.327 Ом, DFN, Surface Mount

TK10V60W,LVQ(S, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9.7 А, 0.327 Ом, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4900 шт., срок 8-10 недель
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015480738
Артикул: TK10V60W,LVQ(S
Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.327Ом
Power Dissipation 83.3Вт
Количество Выводов 5вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 9.7А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 3.7В
Рассеиваемая Мощность 83.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.327Ом
Стиль Корпуса Транзистора DFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.