TK10V60W,LVQ(S, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9.7 А, 0.327 Ом, DFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4900 шт., срок 8-10 недель
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.327Ом |
Power Dissipation | 83.3Вт |
Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 9.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
Рассеиваемая Мощность | 83.3Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.327Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | DFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары