TK20N60W, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 165Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва
990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 165Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 165 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | TK |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Width | 5.02mm |
Вес, г | 6.17 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.