UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]

UT3N06G-AE3-R, Транзистор MOSFET N-канал 60В 3A [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва
14 руб.
от 5 шт.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9001043292
Артикул: UT3N06G-AE3-R

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 3A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 90mО© @ 3A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 241 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.