XP231P02017R-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 200 мА, 3.2 Ом, SOT-723, Surface Mount

XP231P02017R-G, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 200 мА, 3.2 Ом, SOT-723, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7990 шт., срок 7-9 недель
45 руб.
Мин. кол-во для заказа 60 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.18 руб.
Добавить в корзину 60 шт. на сумму 2 700 руб.
Номенклатурный номер: 8004523624
Артикул: XP231P02017R-G

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 3.2Ом
Power Dissipation 350мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции XP231P0201xx-G
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 200мА
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs 800мВ
Рассеиваемая Мощность 350мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 3.2Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-723
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet XP231P02017R-G
pdf, 330 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.