Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › ZX5T949GTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 30V

ZX5T949GTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 158 руб.

от 500 шт. — 121.44 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.

Номенклатурный номер: 8004841943

Артикул: ZX5T949GTA

Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 30V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm (Max)
Длина	6.7 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	5.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	110 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZX5T949
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm (Max)
Base Product Number	ZX5T949 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	5.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1A, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	110MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	3W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	210mV @ 500mA, 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Вес, г	0.112