ZXMN6A11GTA, Trans MOSFET N-CH 60V 4.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
67 руб.
Кратность заказа 1000 шт.
от 2000 шт. —
54 руб.
от 5000 шт. —
51 руб.
Добавить в корзину 1000 шт.
на сумму 67 000 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.4 A |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 3,9 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 3.7мм |
| Высота | 1.8мм |
| Размеры | 6.7 x 3.7 x 1.8мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 6.7мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 1,95 нс |
| Производитель | DiodesZetex |
| Типичное время задержки выключения | 8.2 ns |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 180 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3+Tab |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 5,7 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 330 пФ при 40 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.9 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Rise Time: | 3.5 ns |
| Series: | ZXMN6A1 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.95 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
