ZXTN2010GTA

Фото 1/4 ZXTN2010GTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 384 руб.
Номенклатурный номер: 8024025802
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор NPN 60В 6A 1,6Вт 130МГц SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 150 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum DC Collector Current 6 A
Maximum Emitter Base Voltage 7 V
Maximum Operating Frequency 130 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 3 W
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223(SC-73)
Pin Count 3+Tab
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 150 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 210 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 6 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 130 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 3 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZXTN2010
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.245

Техническая документация

Datasheet
pdf, 483 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 135 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов