Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › BD135, Биполярный транзистор, NPN, 45 В ...

BD135, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

311 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней

56 руб.

Мин. кол-во для заказа 9 шт.

от 50 шт. — 45 руб.

от 100 шт. — 41 руб.

от 200 шт. — 39 руб.

Добавить в корзину 9 шт. на сумму 504 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8000008124

Артикул: BD135

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 1.5 А, 12 Вт

Технические параметры

Корпус	to-126
Pd - рассеивание мощности	12.5 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	10.8 mm
Длина	7.8 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1.5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	BD135
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-32-3
Ширина	2.7 mm
кол-во в упаковке	50
Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	-0.5 V, +0.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25
DC Current Gain hFE Max	250
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	2000
Height	10.8 mm
Length	7.8 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	SOT-32-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	12.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	500V Transistors
Transistor Polarity	NPN
Width	2.7 mm
Maximum Collector Base Voltage	45 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum DC Current Gain	100, 40
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-32
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	1.5