IRF9640SPBF, транзистор P канал 200В -11А D2Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
85 руб.
от 200 шт. —
79 руб.
от 350 шт. —
77.36 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 11A 125Вт 0,5Ом DІPak Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Корпус | D2Pak-2 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.1 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 500 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 500 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 3 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| Width | 9.65mm | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | P-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 125W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | D2PAK | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF9640SPBF
pdf, 231 КБ
IRF9640s
pdf, 173 КБ
IRF9640SPBF
pdf, 979 КБ
Документация
pdf, 230 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
