BC848CWT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R

Фото 1/4 BC848CWT1G, Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 3400 шт.
от 6000 шт.7 руб.
Добавить в корзину 3400 шт. на сумму 30 600 руб.
Посмотреть аналоги9
Номенклатурный номер: 8000998910
Артикул: BC848CWT1G

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.6@5mA@100mA|0.25@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum DC Current Gain 420@2mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Bipolar Small Signal
Standard Package Name SOT
Supplier Package SC-70
Type NPN
Maximum Collector Base Voltage 30 V
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 150 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-323(SC-70)
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 105 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 204 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов