SI7818DN-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

SI7818DN-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
89 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 267 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001038667
Артикул: SI7818DN-T1-GE3

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 135@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name PowerPAK 1212
Supplier Package PowerPAK 1212
Typical Fall Time (ns) 15
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 20
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 20@10V
Typical Rise Time (ns) 10
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 25
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 577 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов