STD3NK50ZT4, Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
![Фото 1/8 STD3NK50ZT4, Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC006064800.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955415.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/162/DOC004162464.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461994.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395424.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
30000 шт., срок 5-7 недель
87 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт. —
85 руб.
от 10000 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 217 500 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,45А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3300 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 14 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 11 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 11 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 280 25V |
Typical Rise Time (ns) | 13 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.3 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 45 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Series | MDmesh, SuperMESH |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Width | 6.2mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 14 ns |
Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 45 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 11 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 Ohms |
Rise Time: | 13 ns |
Series: | STD3NK50ZT4 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Емкость, пФ | 280 |
Заряд затвора, нКл | 15 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 2.3 |
Мощность | рассеиваемая(max)-45 Вт |
Описание | N-Channel 500 V 2.3A(Tc)45W(Tc)Surface Mount DPAK |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/2500 |
Упаковка | REEL, 2500 шт. |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 477 КБ
Datasheet
pdf, 501 КБ
Datasheet STD3NK50ZT4
pdf, 527 КБ
Datasheet STD3NK50ZT4
pdf, 431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары