Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI7114ADN-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 18A ...

SI7114ADN-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

Мин. кол-во для заказа 300 шт.

Добавить в корзину 300 шт. на сумму 33 000 руб.

Номенклатурный номер: 8001110351

Артикул: SI7114ADN-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A)	18
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	7.5@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	3700
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	8
Pin Count	8
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	PowerPAK 1212
Supplier Package	PowerPAK 1212
Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm)	8.1@4.5V\|6.2@10V
Typical Fall Time (ns)	10
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	21
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	10.2@4.5V\|21@10V
Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.2
Typical Gate to Source Charge (nC)	3.9
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1230@15V
Typical Output Capacitance (pF)	275
Typical Reverse Recovery Charge (nC)	20
Typical Rise Time (ns)	20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	20
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
Id - непрерывный ток утечки	35 A
Pd - рассеивание мощности	39 W
Qg - заряд затвора	32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	7.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI7114ADN-GE3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	50 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	PowerPAK-1212-8
Вес, г	1