IRFBF30PBF, Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
Мин. кол-во для заказа 71 шт.
Добавить в корзину 71 шт.
на сумму 31 950 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Описание Полевой транзистор IRFBF30PBF от производителя VISHAY – это высококачественный компонент, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). С его помощью можно управлять током стока до 3,6 А, при этом транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 900 В. Мощность устройства достигает 125 Вт, что делает его подходящим для множества применений в силовой электронике. Ключевой особенностью является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 3,7 Ом, что обеспечивает высокую эффективность. Корпус TO220AB гарантирует надежность и устойчивость к физическим воздействиям. Транзистор IRFBF30PBF – идеальный выбор для экспертов в области электроники, ищущих надежные компоненты для своих проектов. Код товара IRFBF30PBF обеспечит безупречную работу ваших устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 3.6 |
| Напряжение сток-исток, В | 900 |
| Мощность, Вт | 125 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 3.7 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.6 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3700@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 78(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 78(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1200@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 90 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.7 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
Datasheet IRFBF30PBF
pdf, 1002 КБ
IRFBF30 Datasheet
pdf, 166 КБ
Документация
pdf, 1145 КБ
Datasheet IRFBF30
pdf, 255 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
